SRAM for Data Acquisition

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SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

结果: 545
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 组织 访问时间 最大时钟频率 接口类型 电源电压-最大 电源电压-最小 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装

ISSI 静态随机存取存储器 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 145库存量
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI 静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v 53库存量
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v 25库存量
最低: 1
倍数: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI IS66WVS1M8ALL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 93库存量
100在途量
最低: 1
倍数: 1

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 32MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C
690在途量
最低: 1
倍数: 1

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 64MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C
1,173在途量
最低: 1
倍数: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 38 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT
585预期 2026/10/12
最低: 1
倍数: 1

256 kbit 16 k x 16 25 ns Parallel 3.6 V 3 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
142预期 2026/9/29
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
70预期 2026/8/24
最低: 1
倍数: 1
18 Mbit 512 k x 36 12 ns Parallel 2.6 V 2.4 V 790 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 16MB X16 3V uTSOP 55NS -40TO85C
227预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT uTSOP-II-52 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB X8 5V SOP 55NS -40TO85C T+R
880在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 ASYNC. 4M FAST 静态随机存取存储器 256K X16 PB-FREE
405预期 2026/12/4
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 4Mb 3V Adv. 静态随机存取存储器 x16 FBGA 45NS Tray
1,258在途量
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 8Mb 3V Adv.静态随机存取存储器 x8 TSOP44, 45ns, WTR
675在途量
最低: 1
倍数: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 8Mb 3V Adv.静态随机存取存储器 x16 TSOP44, 45ns, WTR
2,000预期 2026/12/4
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel, Cut Tape
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
1,000预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C
672预期 2026/12/21
最低: 1
倍数: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 64MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C
230预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 38 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 64K X 8K
18预期 2026/9/29
最低: 1
倍数: 1

512 kbit 64 k x 8 20 ns 5.5 V 4.5 V 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM
37预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 32 k x 36 5 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 415 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
690在途量
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 128 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 155 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
1,316预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器
1,377预期 2026/11/2
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 静态随机存取存储器 16k, 5.0V EERAM IND
350在途量
最低: 1
倍数: 1

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM
41预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1
1 Mbit 32 k x 36 6 ns 133 MHz 3.45 V 3.15 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray