NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

结果: 1,613
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 420 mA, 550 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 450 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 420 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 490 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 455 mA, 620 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 420 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 490 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 455 mA, 620 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 360 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 18
倍数： 18

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M
数据表
无库存
最低： 18
倍数： 18

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 18
倍数： 18

18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray