异步SRAM

Renesas Electronics异步SRAM基于高性能、高可靠性CMOS技术。该技术和创新电路设计技术为高速异步SRAM存储器需求提供了经济高效的解决方案。全静态异步电路无需时钟或刷新即可工作。Renesas提供异步SRAM,采用符合RoHS 6/6标准的(绿色)封装,采用行业标准的封装选项。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 组织 访问时间 接口类型 电源电压-最大 电源电压-最小 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X16 5V SOJ 12NS -40TO85C 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 5.5 V 4.5 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 512 k x 8 12 ns 3.6 V 3 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-36 Tray

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tray

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS -40TO85C 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tray

Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 32K X 16 静态随机存取存储器 无库存交货期 18 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
卷轴: 2,000
1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 无库存交货期 18 周
最低: 1
倍数: 1
4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray