SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 355 mA, 455 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 390 mA, 490 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 360 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10
144 Mbit 4 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10
144 Mbit 4 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10
144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10
144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10
144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 415 mA, 535 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 395 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 395 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 440 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 440 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 415 mA, 535 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray