SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
数据表
255预期 2026/7/28
最低： 1
倍数： 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 2M x 36 72M
数据表
16预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
数据表
36预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
数据表
36预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
数据表
36预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
数据表
34预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
数据表
18预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
数据表
49预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
18预期 2026/7/28
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
42预期 2026/10/21
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
42预期 2026/9/23
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
数据表
18预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1
否
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 15
倍数： 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存交货期 3 周
最低： 1
倍数： 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
数据表
无库存交货期 5 周
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
数据表
无库存交货期 3 周
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5/3.3V 8M x 36 288M
数据表
无库存交货期 4 周
最低： 1
倍数： 1

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
数据表
无库存交货期 3 周
最低： 14
倍数： 14
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
数据表
无库存交货期 5 周
最低： 1
倍数： 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
数据表
32预期 2026/8/21
最低： 1
倍数： 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 15
倍数： 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 310 mA, 380 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 15
倍数： 15

144 Mbit 8 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 450 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray