CY62157EV30LL-45BVIT

Name: Infineon CY62157EV30LL-45BVIT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-CY57EV30LL45BVIT
Price: 93.26 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

727-CY57EV30LL45BVIT

制造商编号：

CY62157EV30LL-45BVIT

制造商：

Infineon Technologies

说明：

静态随机存取存储器 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP 静态随机存取存储器

数据表:

CY62157EV30LL-45BVIT 数据表 (PDF)

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供货情况

库存：: 无库存

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生产周期：: 14 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 2000 倍数： 2000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥105.3838	¥210,767.60

备用包装

制造商零件编号:

CY62157EV30LL-45BVI

包装:

Tray

供货情况:

库存量

单价:

¥150.9454

最小:

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制造商：

Infineon Technologies

制造商编号：

CY62157EV30LL-45BVI

说明：

静态随机存取存储器 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP 静态随机存取存储器

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:	N
存储容量:	8 Mbit
组织:	512 k x 16
访问时间:	45 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.2 V
电源电流—最大值:	25 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VFBGA-48
封装:	Reel
商标:	Infineon Technologies
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	CY62157EV30LL
工厂包装数量:	2000
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	MoBL
类型:	Asynchronous
单位重量:	223.200 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 8542320290
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MOBL™ Async SRAMs

Infineon Technologies MOBL™ Async SRAM devices comprise a broad portfolio with densities ranging from 64Kb to 64Mb. The MOBL SRAMs are available in industry-standard voltage, bus width, and package options. The devices offer Standby Power Dissipation (maximum) specifications. The MOBL Asynchronous SRAMs are ideal for battery-powered and battery-backed solutions across various application segments. The MOBL SRAM devices are available in industrial, automotive, and radiation-hardened temperature grades.

Asynchronous SRAM

Infineon Technologies Asynchronous SRAM comes in a broad range of fast asynchronous and low-power asynchronous SRAM (MoBL™) devices. Designers use Asynchronous SRAMs in various industrial, medical, commercial, automotive, and military applications requiring the highest reliability and performance standards.