SRAM存储器和数据存储产品

Renesas Electronics SRAM内存和数据存储产品采用先进的低功耗SRAM技术,具有高密度和高性能RAM。这些SRAM产品在-40°C至85°C宽温度范围内工作,电压范围为2.7V至3.6V(3V部分)或4.5V至5.5V(5V部分)。SRAM内存和数据存储产品还具有低功耗待机功耗,适用于内存应用、电池工作和电池备份设计。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 组织 访问时间 接口类型 电源电压-最大 电源电压-最小 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
466预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB X8 3V SOP 55NS -40TO85C 交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

Tray