ILSI 内存和数据存储器

结果: 3,412
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI IS25LP512M-RHLA3
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade 106库存量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT 512 Mbit QPI, SPI
ISSI IS25WP512M-RHLA3
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade 168库存量
最低: 1
倍数: 1
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit QPI, SPI
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
8,360在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
2,690在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit

ISSI 通用闪存存储器 - UFS 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin & WP#, TR
7,500预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Flash Memory Universal Flash Storage (UFS) SMD/SMT TFBGA-24 512 Mb QPI
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
2,324在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
3,690预期 2026/8/11
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
1,470在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
4,264在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, T&R, Auto Grade
7,797在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 64 Mbit Dual/Quad SPI/QPI
ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS
5,477在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 128 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR闪存 256M 3V 166MHZ Serial Flash
7,150在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 256 Mbit QPI, SPI
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
4,323在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
2,944在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,904在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
5,832在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
2,880在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
18,444在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器
1,464在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT
5,362在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
11,000预期 2026/9/15
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-50 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
5,263在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
3,131在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 16 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
8,719在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
7,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit