ILSI 内存和数据存储器

结果: 3,413
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
1,500预期 2026/12/28
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
132在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
2,496预期 2026/10/22
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
1,946在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
2,376在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
1,728在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
996预期 2026/7/8
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
190在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS. IT
1,710在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
480预期 2026/7/22
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
1,008预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
348预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
432在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
1,420在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
1,418预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit

ISSI NOR闪存 128Mb 3V 80/166Mhz Serial NOR闪存
559在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit
ISSI 静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free
121预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT FBGA-165 18 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
864在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
240预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
1,500预期 2027/1/20
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
209在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 4 Gbit