ISSI 内存和数据存储器

结果: 3,412
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品
产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
数据表
1,216在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
数据表
366在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
数据表
179预期 2027/3/18
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI IS46QR16512A-083TBLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
791预期 2027/2/15
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
408在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
数据表
1,382在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
数据表
1,200在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI NOR闪存 16M QSPI, 8-pin SOP 208mil ET
数据表
2,700在途量
最低： 1
倍数： 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 16 Mbit SPI

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
数据表
998预期 2026/7/17
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI NOR闪存 128Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, Auto Grade
480预期 2026/11/26
最低： 1
倍数： 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
数据表
1,295在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
数据表
2,400预期 2027/4/16
最低： 1
倍数： 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 128 Mbit QPI, SPI
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
数据表
349在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
数据表
241预期 2027/1/12
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit

ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
数据表
1,496预期 2026/8/17
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
数据表
310预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
数据表
1,512在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI NAND闪存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
数据表
220在途量
最低： 1
倍数： 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
数据表
135预期 2027/4/5
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16
数据表
418预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
数据表
675预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR S动态随机存取存储器
数据表
540在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
数据表
2,589预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit