ILSI 内存和数据存储器

结果: 3,412
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI NOR闪存 8M QSPI, WSON ET
1,140预期 2026/12/15
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 8 Mbit QPI, SPI

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
135预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 8 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
241预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit

ISSI NOR闪存 32M QSPI, 16-pin SOP 300mil ET
1,000预期 2026/10/26
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

NOR Flash SOIC-16
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
960在途量
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT 256 Mbit
ISSI IS46QR16512A-075VBLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
136预期 2026/12/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI IS46TR16256ECL-125LB2LA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L w/ ECC,256Mx16, 1600MT/s @ 12-11-11, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
264在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Asynch/Pg 4Mx16 55ns
956在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI NOR闪存 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Highest Sector Protected
95预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 128 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 2M (128Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
280预期 2026/7/29
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
108预期 2026/11/12
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
379预期 2026/7/22
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS
240预期 2026/7/24
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
234预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 1Mb 15ns 64Kx16 Async 静态随机存取存储器
135预期 2026/7/20
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async 静态随机存取存储器 3.3v
263在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
10在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
247在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI NOR闪存 256Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected
144预期 2026/7/20
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 256 Mbit Parallel
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
480预期 2026/12/8
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 64 Mbit QPI, SPI
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
171预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
108预期 2026/9/10
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108预期 2026/12/1
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
96在途量
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel