THE BEST SOLUTION 存储器 IC

结果: 3,575
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
2,500预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
1,216在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,496在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
385在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
696在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,498在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570预期 2026/9/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS. IT
1,710在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit

ISSI 静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
983预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
998预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
675预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
349在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
241预期 2027/1/12
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
190在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
996预期 2026/7/8
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
366在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI NOR闪存 1Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die rev
480预期 2026/7/20
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
492预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
348预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit

ISSI 通用闪存存储器 - UFS 2Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die, Auto Grade
480预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1

Flash Memory Universal Flash Storage (UFS) TFBGA-24 2 Gb QPI, QSPI
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
972在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
1,496预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
1,500预期 2027/1/20
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
240预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit