AS3008316-035nX0PTBY

Name: Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-38316035NX0PTBY
Price: 252.91 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

793-38316035NX0PTBY

制造商编号：

AS3008316-035nX0PTBY

制造商：

Avalanche Technology

说明：

磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

数据表:

AS3008316-035nX0PTBY 数据表 (PDF)

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2,592	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Avalanche Technology
产品种类:	磁阻随机存取存储器 (MRAM)
RoHS:
封装 / 箱体:	TSOP-54
接口类型:	Parallel
存储容量:	8 Mbit
组织:	512 k x 16
数据总线宽度:	16 bit
访问时间:	35 ns
电源电压-最小:	2.7 V
电源电压-最大:	3.6 V
工作电源电流:	12 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
系列:	AS3008316
封装:	Tray
商标:	Avalanche Technology
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	MRAM
工厂包装数量:	96
商标名:	STT-MRAM, MRAM

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

并行P-SRAM存储器

Avalanche Technology并行持久性SRAM存储器是磁阻随机存取存储器 (MRAM)，具有1Mb至32Mb密度范围。P-SRAM存储器的工作电压范围为2.7V至3.6V。P-SRAM存储器采用小占位面积54引脚TSOP、44引脚TSOP和48焊球FBGA封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。这些并行持久性SRAM存储器的工作温度范围为-40℃至+85℃（工业）和-40℃至+105℃（工业扩展）。