动态随机存取存储器

结果: 2,867
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
348预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
108预期 2026/6/30
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 32Mx8, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
105预期 2026/7/23
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2508SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
455预期 2026/9/18
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
133预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT 1,569库存量
7,236预期 2026/7/6
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
3,344在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
1,014在途量
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642GABHB020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
472预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1

Tray
Infineon Technologies S27KS0642GABHI023
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
1,414预期 2026/10/29
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR4 4Gb, 256Mx16, 3200 CL22, 1.2V, FBGA-96
1,930在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C DDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
816预期 2027/4/23
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit BGA-96 512 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
11,000预期 2026/9/15
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
7,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SDRAM BGA-54 IS42S16160J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
6,960在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
1,440预期 2026/9/15
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
7,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
5,978在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
1,330在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256B
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
5,918在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
1,500预期 2027/3/10
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256B Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
11,327在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
6,382在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16512B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
2,715在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16512B
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
5,473在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray