动态随机存取存储器

结果: 2,866
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
2,500预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
1,619预期 2026/6/10
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
136在途量
最低: 1
倍数: 1
SDRAM - DDR3L 16 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Automotive Temp - Tray
204预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
417在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 166MHz, Commercial Temp - Tray
107预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1
SDRAM - DDR 1 Gbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M16D1 Tray
Alliance Memory MT40A512M16TD-062E:R
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR4 (MICRON), 8Gb, 512M x 16, 1.2V, 96-ball FBGA, 1600Mhz, Commercial Temp Rev.B
155预期 2026/6/10
最低: 1
倍数: 1
Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
331预期 2026/7/22
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
124预期 2026/6/19
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3B Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray
108预期 2026/6/10
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 4.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C4M16SA Tray
ISSI IS43LQ32256B-062BLI
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
401在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
480预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS43LR16128B-5BLI
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
600预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1

BGA-60
ISSI IS46TR16256ECL-125LB2LA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L w/ ECC,256Mx16, 1600MT/s @ 12-11-11, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
264在途量
最低: 1
倍数: 1

BGA-96
ISSI IS46QR16512A-075VBLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
136预期 2026/12/16
最低: 1
倍数: 1

BGA-96
Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
1,950预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 16 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M16MD2A Reel, Cut Tape
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
38预期 2026/11/10
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
216在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS
240预期 2026/7/24
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
237预期 2026/6/18
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 1 Gb 4 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
171预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
117预期 2026/9/25
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
108预期 2026/9/10
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
216预期 2026/9/3
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
234预期 2026/9/23
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C