ISSI 动态随机存取存储器

结果: 1,807
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
1,959在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 502

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
2,000预期 2026/4/24
最低: 1
倍数: 1
最大: 750
卷轴: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
2,447预期 2026/4/20
最低: 1
倍数: 1
最大: 594
卷轴: 2,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
689预期 2026/4/22
最低: 1
倍数: 1
最大: 81

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
418在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 131

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272预期 2026/5/22
最低: 1
倍数: 1
最大: 200

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit BGA-96 512 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
190预期 2026/7/1
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
190预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 5

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR16256BL
ISSI 动态随机存取存储器 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V A-Temp
1,500预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 5
卷轴: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1,264预期 2026/4/20
最低: 1
倍数: 1
最大: 276

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
1,440预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 615

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
706预期 2026/4/30
最低: 1
倍数: 1
最大: 206

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS 244库存量
272预期 2026/5/15
最低: 1
倍数: 1
最大: 291

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
126预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1
最大: 42

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 28

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
299在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 50

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
272预期 2026/2/25
最低: 1
倍数: 1
最大: 93

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI IS43LR16800G-6BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
1,996预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - DDR 128 Mbit 16 bit 166 MHz 8 M x 16 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16800G Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
190预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 5

SDRAM - DDR3 BGA-96 20 ns IS43TR16128C
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
190预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 5

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128C
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
297在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 139

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16160J
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
148预期 2026/4/8
最低: 1
倍数: 1
最大: 200

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
208预期 2026/4/8
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 16 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
257预期 2026/3/25
最低: 1
倍数: 1
最大: 91

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
322在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 87

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C