Mobile LPDDR2 SDRAM

ISSI Mobile LPDDR2 SDRAMs achieve high-speed operation using a double data rate architecture. The Mobile LPDDR2 SDRAM double data rate architecture is a pre-fetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. The ISSI Mobile LPDDR2 data paths are internally pipelined and 4n bits pre-fetched to achieve very high bandwidth.

结果: 16
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
ISSI 动态随机存取存储器 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
数据表
2库存量
171预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1
最大： 32

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32320C Reel
ISSI 动态随机存取存储器 LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT
数据表
186库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI IS43LD32320C-18BLI
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
数据表
156库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
数据表
131库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI IS43LD16640C-25BLI
ISSI 动态随机存取存储器 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
数据表
342在途量
最低： 1
倍数： 1
最大： 83

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz 64 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16640C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 171
倍数： 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 171
倍数： 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B
ISSI IS43LD32160A-25BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI IS43LD16640C-18BLI
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 171
倍数： 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C
ISSI IS43LD16640C-18BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C Reel
ISSI IS43LD16640C-25BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C Reel
ISSI IS43LD32320C-18BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C Reel
ISSI IS43LD32320C-25BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C Reel