+ 125 C 动态随机存取存储器

结果: 7
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
ISSI 动态随机存取存储器 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L
数据表
8库存量
190预期 2026/8/17
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C IS46TR16256BL Tray
Micron 动态随机存取存储器 DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 UT
数据表
产品评论
1,174库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 13.91 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C MT41K Tray
Micron 动态随机存取存储器 DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 UT
数据表
产品评论
653库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 13.75 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C MT41K Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 190
倍数： 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED