512 Mbit 动态随机存取存储器

结果: 311
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Alliance Memory 动态随机存取存储器 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
数据表
3库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
数据表
77库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
148库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
135库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
数据表
418预期 2026/6/30
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-60 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM5116D2 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
6,474在途量
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
662预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
数据表
2,880在途量
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
数据表
1,440预期 2026/9/15
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
数据表
3,693预期 2026/8/11
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A)
数据表
273在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1A Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
数据表
1,200预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
数据表
171预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
数据表
交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5116SD Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR2 512Mb, 32Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,000
倍数： 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 32 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C DDR1 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V 0 C + 70 C IS42RM32160E Reel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42SM32160E Reel