- 40 C 动态随机存取存储器

结果: 1,321
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
数据表
116库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160F
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
数据表
4,800预期 2026/7/6
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4, 4G, 256M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
数据表
426库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz WBGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
数据表
148库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 16 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
148库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
135库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI IS42VM32200M-75BLI
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 133Mhz, RoHS
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 64 Mbit 32 bit 133 MHz 2 M x 32 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32200M
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial
数据表
396预期 2026/6/22
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
324预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
数据表
418预期 2026/6/30
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-60 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM5116D2 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
数据表
380预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 667 MHz FBGA-96 64 M x 16 300 ps 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G16D3 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
数据表
61库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz WBGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16160B Reel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR S动态随机存取存储器
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
6,479在途量
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
数据表
210在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial
数据表
198在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Kingston 动态随机存取存储器 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
数据表
50预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 1.86 GHz FBGA-200 1024 M x 32 3.5 ns 1.1 V 1.8 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb 200 ball LPDDR4 4266MHz itemp -40c to 95c
数据表
75预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - LPDDR4 16 GB 16 bit 2.133 GHz BGA-200 1024 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C eMMC Tray
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
数据表
50预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 1.86 GHz FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.1 V 1.8 V - 40 C + 95 C Tray
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
662预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
4,787预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
数据表
2,880在途量
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Kingston 动态随机存取存储器 4Gb 96 ball FBGA DDR3L 1866 IT
数据表
50预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.5 V - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
348预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray