- 40 C 动态随机存取存储器

结果: 1,319
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 136
倍数： 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 136
倍数： 136

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 136
倍数： 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 136
倍数： 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 136
倍数： 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 190
倍数： 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16160G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, 143Mhz 16Mx16 SDR S动态随机存取存储器
数据表
无库存
最低： 108
倍数： 108

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16160G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, 143Mhz 32Mx16 SDR S动态随机存取存储器
数据表
无库存
最低： 108
倍数： 108

SDRAM 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
数据表
无库存
最低： 108
倍数： 108

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 166Mhz 4Mx16 SDR S动态随机存取存储器
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16400J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 143Mhz 4Mx16 SDR S动态随机存取存储器
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16400J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, Cu 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16800F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Reel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
数据表
无库存
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Reel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
数据表
无库存
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Reel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Reel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Reel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
数据表
无库存
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Reel
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
数据表
无库存
最低： 119
倍数： 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
数据表
无库存
最低： 119
倍数： 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray