SMD/SMT Tray 动态随机存取存储器

结果: 797
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 无库存交货期 24 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 无库存交货期 24 周
最低: 240
倍数: 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V 无库存交货期 20 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS 无库存
最低: 189
倍数: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32160D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, IT 无库存
最低: 189
倍数: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R32160D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 无库存
最低: 189
倍数: 189

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 250 MHz BGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 无库存交货期 20 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS 无库存
最低: 119
倍数: 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS 无库存
最低: 119
倍数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS 无库存
最低: 119
倍数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS 无库存
最低: 119
倍数: 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS 无库存
最低: 119
倍数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 933 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS 无库存
最低: 119
倍数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 800 MHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 无库存交货期 40 周
最低: 171
倍数: 171

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 40 周
最低: 136
倍数: 136

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 40 周
最低: 136
倍数: 136

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 40 周
最低: 136
倍数: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 40 周
最低: 136
倍数: 136

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 36 周
最低: 136
倍数: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 40 周
最低: 136
倍数: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 40 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 无库存交货期 36 周
最低: 136
倍数: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp 无库存
最低: 119
倍数: 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp 无库存
最低: 119
倍数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS 无库存
最低: 119
倍数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray