92 动态随机存取存储器

结果: 2,711
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
792预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
134预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Automotive Temp - Tray
204预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Industrial Temp - Tray
418预期 2027/1/20
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tray
149预期 2027/1/20
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (A-die), Industrial Temp - Tray
627预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D2A Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP S动态随机存取存储器 IT
348预期 2026/8/26
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 16 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M32MSA Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 90-ball FBGA, 143 MHz, Commercial Temp - Tray
1,360在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz FBGA-90 8 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C8M32SA Tray
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
960在途量
最低: 1
倍数: 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS43LR16128B-5BLI
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
600预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1

BGA-60
ISSI IS46TR16256ECL-125LB2LA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L w/ ECC,256Mx16, 1600MT/s @ 12-11-11, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
264在途量
最低: 1
倍数: 1

BGA-96
ISSI IS46QR16512A-075VBLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
136预期 2026/12/16
最低: 1
倍数: 1

BGA-96
Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
1,950预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 16 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M16MD2A Reel, Cut Tape
Alliance Memory AS4C16M32MD1B-5BIN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR1, 512Mb, 16M x 32 , 1.8V, 90-Ball BGA,200MHz, Industrial Temp ( -40C to 85C), B DIE
180预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v
105在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16400J Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial 5,000工厂有库存
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
247在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS
240预期 2026/7/24
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
ISSI 动态随机存取存储器 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
241预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
171预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
10在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128CL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
108预期 2026/9/10
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
119预期 2026/9/14
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
108预期 2026/11/12
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C