CA 动态随机存取存储器

结果: 2,714
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
数据表
1,950预期 2026/8/20
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 16 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M16MD2A Reel, Cut Tape
Alliance Memory AS4C16M32MD1B-5BIN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR1, 512Mb, 16M x 32 , 1.8V, 90-Ball BGA,200MHz, Industrial Temp ( -40C to 85C), B DIE
数据表
180预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v
数据表
105预期 2026/7/7
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16400J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
数据表
247在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS
数据表
240预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
ISSI 动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器
数据表
628在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
数据表
137预期 2026/7/8
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 1 Gb 4 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
数据表
242预期 2026/12/7
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
数据表
171预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
数据表
10预期 2026/11/11
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128CL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
数据表
432在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
数据表
108预期 2026/9/10
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
数据表
696在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
119预期 2026/9/14
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
数据表
108预期 2026/11/12
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据表
108在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据表
108预期 2026/12/1
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray
数据表
128预期 2026/11/11
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C32M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 512Mb, 32M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tray
数据表
190预期 2026/10/14
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3 512 Mbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 32 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C AS4C32M16D3 Tray
Alliance Memory AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 2G, 128M X 16, 1.2V, 134ball BGA A-DIE INDUSTRIAL TEMP - Tray
数据表
121预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M16MD2A-25 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
数据表
2,589预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
Kingston 动态随机存取存储器 itemp 4Gb 96 ball FBGA DDR4 3200
数据表
交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 13.75 ns 1.2 V 2.5 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 96 ball FBGA DDR4 3200 (NY C)
数据表
交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 8 Gb 3.2 Gb/s FBGA-96 512 M x 16 1.14 1.26 V 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM1G16D2 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 120
倍数： 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray