+ 125 C 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

结果: 34
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体
接口类型
存储容量
组织
数据总线宽度
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
工作电源电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 480
倍数： 240

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 216
倍数： 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3V 128Kx8 Serial 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 4,000
倍数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1,140
倍数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 4,000
倍数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1,140
倍数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 4,000
倍数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel