Tray 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

结果: 326
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数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体
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电源电压-最小
电源电压-最大
工作电源电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 3.3V 32Mb 磁阻随机存取存储器 (MRAM) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
数据表
252库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray


Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13ES2T
数据表
47库存量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
数据表
114库存量
最低： 1
倍数： 1

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
数据表
67库存量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
数据表
16库存量
580预期 2026/8/19
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQADG13ES2T
数据表
38库存量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
数据表
113库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
189库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
数据表
171库存量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
数据表
3,372在途量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
数据表
5库存量
3,420在途量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3V 128Kx8 Serial 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
72库存量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
数据表
93库存量
最低： 1
倍数： 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 3.3V 32Mb 磁阻随机存取存储器 (MRAM) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
数据表
100预期 2026/6/10
最低： 1
倍数： 1

BGA-24 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
数据表
580预期 2026/11/26
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
数据表
1,140预期 2026/12/2
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
810预期 2026/6/17
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
268预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
1,620预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3V 32Kx8 Serial 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
10,351预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray