Cut Tape 多芯片封装

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 封装 / 箱体 系列 安装风格 最大时钟频率 最小工作温度 最大工作温度
Micron 多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 8G 998库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 1,000

NAND Flash, Mobile LPDDR2 4 Gbit, 4 Gbit VFBGA-162 MT29RZ SMD/SMT 533 MHz - 40 C + 85 C
Winbond 多芯片封装 spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector 3,060库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 4,000

Serial NOR Flash 512 Mbit WSON-8 W25M512JV SMD/SMT 104 MHz - 40 C + 85 C
Micron MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR
Micron 多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR4 6G 1,967库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 2,000

Multichip Packages 2 Gbit, 4 Gbit BGA-149 MT29G SMD/SMT - 40 C + 85 C
Micron 多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 6G 819库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 1,000

NAND Flash, Mobile LPDDR2 4 Gbit, 2 Gbit VFBGA-162 MT29RZ SMD/SMT 533 MHz - 40 C + 85 C
Infineon Technologies 多芯片封装 SEMPER 1,649库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Flash, RAM 64 Mbit, 512 Mbit BGA-24 SMD/SMT 166 MHz - 40 C + 105 C
Infineon Technologies 多芯片封装 SEMPER 1,993库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Flash, RAM 64 Mbit, 512 Mbit BGA-24 SMD/SMT 166 MHz - 40 C + 105 C
Micron 多芯片封装 MASSFLASH/MOBILE DDR 6G 6库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 1,000

NAND Flash, Mobile LPDDR1 4 Gbit, 2 Gbit VFBGA-137 MT29C SMD/SMT 208 MHz - 40 C + 85 C
Micron 多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 6G 92库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 2,000

NAND Flash, Mobile LPDDR2 4 Gbit, 2 Gbit VFBGA-162 MT29RZ SMD/SMT 533 MHz - 40 C + 85 C