NAND闪存

结果: 704
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
接口类型
组织
定时类型
数据总线宽度
电源电压-最小
电源电压-最大
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
封装
Macronix NAND闪存 Serial NAND 1.8V 2Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
数据表
4,000在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 MX35UF 2 Gbit Parallel 512 M x 4 Synchronous 4 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 SLC NAND 3V 2Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
数据表
2,198在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 MX30LF 2 Gbit 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 1Gbit x4 WSON ECC-Free
数据表
2,986预期 2027/1/21
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 1 Gbit Parallel 256 M x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
数据表
1,500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
数据表
220预期 2027/5/27
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8/256 M x 16 Asynchronous 8 bit, 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 1.8V x16 4-bit NAND闪存
数据表
299预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 16 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
数据表
96预期 2027/5/17
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
Alliance Memory NAND闪存 SLC Parallel NAND闪存, 4Gb, x8, 3.3V, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade4Gb, x8, 3.3V, SLC Parallel NAND闪存, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade
数据表
210预期 2026/10/20
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel 4 G x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 5,700
倍数： 5,700
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 1.7 V 2 V Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel