- 40 C NAND闪存

结果: 393
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 接口类型 组织 定时类型 数据总线宽度 电源电压-最小 电源电压-最大 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 封装
Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) 95库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT FBGA-67 8 Gbit Parallel 1 G x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory AS5F12G04SND-10LIN
Alliance Memory NAND闪存 SPI SLC NAND闪存, 2Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6) 356库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT LGA-8 2 Gbit Quad SPI 256 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.98 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存 18库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存 227库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存 10库存量
220在途量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存 9库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2G 3V x8 4-bit NAND闪存 59库存量
96预期 2027/5/28
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4G 3V x8 1-bit NAND闪存 39库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G081 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4G 3V x8 4-bit NAND闪存 89库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G084 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Bulk
GigaDevice NAND闪存
3,960在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT 1库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 SLC NAND 3V 4Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
4,780预期 2026/6/3
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TSOP-48 MX30LF 4 Gbit 512 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 1Gbit x4 WSON-8 8Bit ECC
4,800在途量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 1 Gbit Parallel 256 M x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 2Gbit x4 WSON ECC-Free
3,959在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 2 Gbit Parallel 512 M x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 4Gbit x4 WSON-8 8Bit ECC
4,800预期 2026/11/18
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 4 Gbit Parallel 1 G x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 4Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
4,800预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 4 Gbit Parallel 1 G x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 1.8V 2Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
4,000在途量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT WSON-8 MX35UF 2 Gbit Parallel 512 M x 4 Synchronous 4 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 SLC NAND 3V 2Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
2,198在途量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 MX30LF 2 Gbit 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 1Gbit x4 WSON ECC-Free
2,986预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 1 Gbit Parallel 256 M x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
220预期 2027/5/27
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8/256 M x 16 Asynchronous 8 bit, 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 1.8V x16 4-bit NAND闪存
299预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 16 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2027/4/22
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2027/4/22
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2027/4/22
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C