R1RW0408DGE-2LR#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0408DGE-2LR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0408DGE2LRB1
Price: 145.96 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

968-R1RW0408DGE2LRB1

制造商编号：

R1RW0408DGE-2LR#B1

制造商：

Renesas Electronics

说明：

静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

R1RW0408DGE-2LR#B1 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥164.9348	¥164.93
	¥152.8551	¥1,528.55
	¥127.464	¥2,804.21
	¥103.0673	¥4,534.96
	¥96.8636	¥10,655.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	4 Mbit
组织:	512 k x 8
访问时间:	12 ns
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	3 V
电源电流—最大值:	100 mA
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOJ-36
封装:	Tray
商标:	Renesas Electronics
存储类型:	SRAM
产品类型:	SRAM
工厂包装数量:	22
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	High Speed

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数据表

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EOL

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CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

异步SRAM

Renesas Electronics异步SRAM基于高性能、高可靠性CMOS技术。该技术和创新电路设计技术为高速异步SRAM存储器需求提供了经济高效的解决方案。全静态异步电路无需时钟或刷新即可工作。Renesas提供异步SRAM，采用符合RoHS 6/6标准的（绿色）封装，采用行业标准的封装选项。