R1RW0408DGE-2PI#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0408DGE2PIB1
R1RW0408DGE-2PI#B1

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS -40TO85C

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
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库存量: 101

库存：
101 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥110.9208 ¥110.92
¥110.8417 ¥2,438.52
¥103.0673 ¥11,337.40
¥96.8636 ¥25,571.99

产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
4 Mbit
12 ns
3.6 V
3 V
100 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tray
商标: Renesas Electronics
存储类型: SRAM
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
工厂包装数量: 22
子类别: Memory & Data Storage
类型: High Speed
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

异步SRAM

Renesas Electronics异步SRAM基于高性能、高可靠性CMOS技术。该技术和创新电路设计技术为高速异步SRAM存储器需求提供了经济高效的解决方案。全静态异步电路无需时钟或刷新即可工作。Renesas提供异步SRAM，采用符合RoHS 6/6标准的（绿色）封装，采用行业标准的封装选项。

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