R1RW0416DGE-2PR#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0416DGE2PRB1
R1RW0416DGE-2PR#B1

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
12 周 预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥96.8636 ¥96.86

产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
3.6 V
3 V
130 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
SOJ-44
Tray
商标: Renesas Electronics
存储类型: SRAM
产品类型: SRAM
工厂包装数量: 18
子类别: Memory & Data Storage
类型: High Speed
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

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USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
ECCN:
EAR99

异步SRAM

Renesas Electronics异步SRAM基于高性能、高可靠性CMOS技术。该技术和创新电路设计技术为高速异步SRAM存储器需求提供了经济高效的解决方案。全静态异步电路无需时钟或刷新即可工作。Renesas提供异步SRAM，采用符合RoHS 6/6标准的（绿色）封装，采用行业标准的封装选项。

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