SMD/SMT Tray 静态随机存取存储器

结果: 9,504
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 组织 访问时间 最大时钟频率 接口类型 电源电压-最大 电源电压-最小 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 资格 封装
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM
37预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 32 k x 36 5 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 415 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器
650在途量
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW F/T
196预期 2026/11/17
最低: 1
倍数: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
34预期 2026/7/20
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
5预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 285 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
17预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
17预期 2026/7/20
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
18预期 2026/7/13
最低: 1
倍数: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
49预期 2026/7/24
最低: 1
倍数: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
10在途量
最低: 1
倍数: 1
144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 415 mA, 535 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM
41预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1
1 Mbit 32 k x 36 6 ns 133 MHz 3.45 V 3.15 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM
40预期 2026/9/29
最低: 1
倍数: 1
2 Mbit 64 k x 36 25 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies CY7C1372KV33-200AXC
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S
144预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 158 mA 0 C + 70 C SMD/SMT Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36在途量
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
36在途量
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36在途量
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
36在途量
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36预期 2027/2/5
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
42在途量
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
42在途量
最低: 1
倍数: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
ISSI 静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
1,353在途量
最低: 1
倍数: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
127预期 2026/8/28
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
441预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V
61预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1

9 Mbit 256 k x 36 10 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray