MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

Micron
340-471798
MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

制造商：

说明：
存储器模块 DDR4 8GByte SODIMM

寿命周期:
与工厂核实状态:
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数据表:
ECAD模型:
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库存量: 269

库存：
269
可立即发货
在途量:
600
预期 2026/3/18
1,790
790
预期 2026/4/15
1,000
预期 2026/12/24
生产周期：
53
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于2659的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 200
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥2,347.5637 ¥2,347.56
¥2,160.1306 ¥21,601.31
¥2,088.2513 ¥52,206.28

产品属性 属性值 选择属性
Micron Technology
产品种类: 存储器模块
RoHS:  
SODIMMs
8 GB
DDR4
3200 MT/s
1.2 V
+ 95 C
260 Pin
商标: Micron
尺寸: 69.73 mm x 30.13 mm x 3.7 mm
最小工作温度: 0 C
封装: Tray
产品类型: Memory Modules
工厂包装数量: 100
子类别: Memory & Data Storage
找到的产品:
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已选择的属性: 0 

                        
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数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8473309000
CAHTS:
8473302000
USHTS:
8473301140
MXHTS:
8473300401
ECCN:
4A994.a

DDR4 SDRAM

Micron DDR4 SDRAM具有以节能、性能增强、可制造性和可靠性改进为中心的新特性。 这些特性可为企业、云、超薄、平板电脑、汽车和嵌入式市场改进性能、功耗、可制造性、可靠性和堆叠功能。DDR4的数据速率高达3200MT/s，工作电压为1.2V，并具有其他节电特性。与DDR3相比，具有高达50％的性能提升和高达25％的总节能量。

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