DAT 存储器模块

结果: 2,016
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 产品
存储容量
存储类型
速度
工作电源电压
最大工作温度
管脚数量
ATP Electronics 存储器模块 16GB Unbuffered ECC SO-DIMM - ISSI DRAM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 1,000
倍数： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 存储器模块 8GB Registered ECC Module
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V
ATP Electronics 存储器模块 8GB Registered ECC Module
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V
ATP Electronics 存储器模块 WT 8GB Unb ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 存储器模块 8GB Unb ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 2400 MT/s
ATP Electronics 存储器模块 16GB Unb ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 2933 MT/s
ATP Electronics 存储器模块 16GB Unb ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 存储器模块 WT 32GB Unb ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 存储器模块 WT 32GB Unb ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 存储器模块 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 500
倍数： 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 存储器模块 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 存储器模块 WT 32GB Unb ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 存储器模块 8GB Unb Non-ECC SODIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2133 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 存储器模块 8GB Registered MiniDIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 1,000
倍数： 50
Mini DIMM 8 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 存储器模块 8GB ULP Unbuffered ECC MiniDIMM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 1,000
倍数： 50
Mini DIMM 8 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 存储器模块 16GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM- ISSI DRAM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 1,000
倍数： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 存储器模块 4GB Unbuffered Non ECC Module
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 存储器模块 16GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM- ISSI DRAM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 1,000
倍数： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 存储器模块 16GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM- ISSI DRAM
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 1,000
倍数： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 存储器模块 16GB Unbuffered Non ECC Module
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 存储器模块 WT 16GB Unb Non ECC Module
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 存储器模块 WT 16GB Unb Non ECC Module
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 存储器模块 WT 16GB Unb Non ECC Module
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 存储器模块 8GB Registered ECC Module-Samsung Org.
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 存储器模块 16GB Registered ECC Module
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 50
倍数： 50
DIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin