分离式半导体类型
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Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块
Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块
05/14/2025
汽车级模块，设计用于实现无缝设计集成和耐用性。
Wolfspeed 1700V碳化硅MOSFET
Wolfspeed 1700V碳化硅MOSFET
04/17/2025
为下一代电源转换提供更高的开关、系统效率和功率密度。
Wolfspeed 2300V碳化硅功率模块
Wolfspeed 2300V碳化硅功率模块
10/08/2024
这些器件是2300V无基板碳化硅功率模块，用于1500V V总线应用。                        
Wolfspeed HAS恶劣环境SiC半桥模块
Wolfspeed HAS恶劣环境SiC半桥模块
07/25/2024
适用于恶劣环境的碳化硅半桥模块，采用行业标准62mm封装。
Wolfspeed TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET
Wolfspeed TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET
07/03/2024
提供高系统效率，降低开关损耗，并最大限度地减少栅极振荡。
Wolfspeed DM SiC半桥模块
Wolfspeed DM SiC半桥模块
06/25/2024
以非常低的质量和小体积外形尺寸提供大电流能力。
Wolfspeed 750V分立式碳化硅MOSFET
Wolfspeed 750V分立式碳化硅MOSFET
05/27/2024
采用行业标准封装，采用薄型设计，实现高系统功率密度。
Wolfspeed 1700V SiC肖特基二极管
Wolfspeed 1700V SiC肖特基二极管
01/04/2023
具有性能优势，符合更高效率标准。
Wolfspeed SiC MOSFET C3M™（采用TOLL封装）
Wolfspeed SiC MOSFET C3M™（采用TOLL封装）
10/18/2022
与标准硅MOSFET相比，导通电阻温度相关性要低得多。
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Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02/03/2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
02/03/2026
可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
01/20/2026
一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
IXYS DP高压快速恢复二极管
IXYS DP高压快速恢复二极管
01/20/2026
600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
01/13/2026
保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
01/08/2026
提供超低电容、双向传输和电平保护。
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
12/23/2025
凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
12/19/2025
专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
12/01/2025
DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
11/24/2025
设计用于在紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸格式中提供浪涌和ESD保护。
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11/24/2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
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