Microchip 最新RF晶体管

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Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Mini-Circuits TAV1 Transistors
Mini-Circuits TAV1 Transistors
12/01/2023
Designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.
CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Nexperia SOT323表面贴装封装产品
Nexperia SOT323表面贴装封装产品
07/26/2022
塑料、3引脚、1.3mm脚距、2mm x 1.25mm x 0.95mm主体表面贴装封装。
Nexperia SOT23表面贴装封装产品
Nexperia SOT23表面贴装封装产品
07/26/2022
采用塑料、表面贴装、三个端子、1.9mm脚距、2.9mm x 1.3mm x 1mm封装。
Qorvo QPD2060D 600µm分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2060D 600µm分立式GaAs pHEMT
04/19/2022
输出功率为28dBm（P1dB时），增益为12dB，功率附加效率为55%（1dB时）。
Qorvo QPD2120D 1200µm分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2120D 1200µm分立式GaAs pHEMT
04/19/2022
输出功率为31dBm（P1dB时），增益为11.5dB，功率附加效率为57%（1dB时）。
Qorvo QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT
04/19/2022
输出功率为32.5dBm（P1dB时），增益为10.4dB，功率附加效率为63%（1dB时）。
Qorvo QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT
04/19/2022
输出功率为29.5dBm（P1dB时），增益为11.5dB，功率附加效率为56%（1dB时）。
Qorvo QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片
Qorvo QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片
02/14/2022
采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺。
Qorvo QPD2025D 250um分立式GaAs pHEMT裸片
Qorvo QPD2025D 250um分立式GaAs pHEMT裸片
02/14/2022
采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺开发。
Qorvo QPD2040D 400um分立式GaAs pHEMT裸片
Qorvo QPD2040D 400um分立式GaAs pHEMT裸片
02/14/2022
采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。
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