最新射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

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CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Qorvo QPD2060D 600µm分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2060D 600µm分立式GaAs pHEMT
04/19/2022
输出功率为28dBm（P1dB时），增益为12dB，功率附加效率为55%（1dB时）。
Qorvo QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT
04/19/2022
输出功率为29.5dBm（P1dB时），增益为11.5dB，功率附加效率为56%（1dB时）。
Qorvo QPD2120D 1200µm分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2120D 1200µm分立式GaAs pHEMT
04/19/2022
输出功率为31dBm（P1dB时），增益为11.5dB，功率附加效率为57%（1dB时）。
Qorvo QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT
04/19/2022
输出功率为32.5dBm（P1dB时），增益为10.4dB，功率附加效率为63%（1dB时）。
Qorvo QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片
Qorvo QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片
02/14/2022
采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺。
Qorvo QPD2025D 250um分立式GaAs pHEMT裸片
Qorvo QPD2025D 250um分立式GaAs pHEMT裸片
02/14/2022
采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺开发。
Qorvo QPD2040D 400um分立式GaAs pHEMT裸片
Qorvo QPD2040D 400um分立式GaAs pHEMT裸片
02/14/2022
采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。
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