E 系列 无源元件

结果: 7,290
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Johanson Technology QEDB102Q1R0A2GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 0.05pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R0B2GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 0.1pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R0B3GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 0.1pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R0B3GV001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 0.1pF Ni/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R0B3GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R0C1GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R0C3GV001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 0.25pF Ni/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R0C3GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R1B3GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.1pF 0.1pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R1B3GV001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.1pF 0.1pF Ni/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R1B3GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.1pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R2A2GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.20pF 0.05pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R2B1GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.2pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R2B2GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.20pF 0.1pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R2B3GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.2pF 0.1pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R2B3GV001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.2pF 0.1pF Ni/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R2B3GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.2pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R3A1GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.3pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R3B1GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R3B3GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.3pF 0.1pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R3B3GV001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.3pF 0.1pF Ni/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R3B3GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R5A2GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.50pF 0.05pF Cu/Sn

Johanson Technology QEDB102Q1R5B1GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200

Johanson Technology QEDB102Q1R5B2GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.50pF 0.1pF Cu/Sn