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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q1R5B3GU001E QEDB102Q1R5B3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R5B3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q1R5B3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q1R5B3GV001E QEDB102Q1R5B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R5B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q1R5B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R5B3GV002E QEDB102Q1R5B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R5B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R5B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R5C1GV002E QEDB102Q1R5C1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R5C1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R5C1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.25pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q1R5C3GV001E QEDB102Q1R5C3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R5C3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q1R5C3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.25pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R5C3GV002E QEDB102Q1R5C3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R5C3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R5C3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.5pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.7pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R7B1GV002E QEDB102Q1R7B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R7B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R7B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.7pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.7pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R7C1GV002E QEDB102Q1R7C1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R7C1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R7C1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.7pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.8pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R8A1GV002E QEDB102Q1R8A1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R8A1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R8A1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.8pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.80pF 0.05pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q1R8A2GU001E QEDB102Q1R8A2GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R8A2GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q1R8A2GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.80pF 0.05pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.8pF 0.05pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q1R8A3GV001E QEDB102Q1R8A3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R8A3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q1R8A3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.8pF 0.05pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.8pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R8A3GV002E QEDB102Q1R8A3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R8A3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R8A3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.8pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.80pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q1R8B2GU001E QEDB102Q1R8B2GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R8B2GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q1R8B2GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.80pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.9pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R9B1GV002E QEDB102Q1R9B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R9B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R9B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.9pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.9pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q1R9C1GV002E QEDB102Q1R9C1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q1R9C1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q1R9C1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1.9pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 20pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q200J1GU001E QEDB102Q200J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q200J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q200J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 20pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q200J3GU001E QEDB102Q200J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q200J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q200J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 20pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q200J3GV001E QEDB102Q200J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q200J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q200J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 20pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 20pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q200J3GV002E QEDB102Q200J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q200J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q200J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 20pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q201F1GU001E QEDB102Q201F1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q201F1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q201F1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q201F1GV001E QEDB102Q201F1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q201F1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q201F1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q201F1GV002E QEDB102Q201F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q201F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q201F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q201F3GU001E QEDB102Q201F3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q201F3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q201F3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q201F3GV001E QEDB102Q201F3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q201F3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q201F3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q201F3GV002E QEDB102Q201F3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q201F3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q201F3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 2pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况

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