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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q301F1GU001E QEDB102Q301F1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q301F1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q301F1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q301F3GU001E QEDB102Q301F3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q301F3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q301F3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q301G1GU001E QEDB102Q301G1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q301G1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q301G1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q301G3GU001E QEDB102Q301G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q301G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q301G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q301J1GU001E QEDB102Q301J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q301J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q301J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q301J3GU001E QEDB102Q301J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q301J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q301J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q301K1GU001E QEDB102Q301K1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q301K1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q301K1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q301K3GU001E QEDB102Q301K3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q301K3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q301K3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q330F3GV001E QEDB102Q330F3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330F3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q330F3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q330F3GV002E QEDB102Q330F3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330F3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q330F3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q330G1GV002E QEDB102Q330G1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330G1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q330G1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 2% Cu/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q330G3GU002E QEDB102Q330G3GU002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330G3GU002E Mouser 零件编号 609-B102Q330G3GU002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 2% Cu/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q330J1GU001E QEDB102Q330J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q330J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q330J1GV002E QEDB102Q330J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q330J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q330J3GU001E QEDB102Q330J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q330J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q330J3GV001E QEDB102Q330J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q330J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q330J3GV002E QEDB102Q330J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q330J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q330K1GV002E QEDB102Q330K1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q330K1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q330K1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 33pF 10% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q331F1GU001E QEDB102Q331F1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q331F1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q331F1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q331F3GU001E QEDB102Q331F3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q331F3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q331F3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q331G1GU001E QEDB102Q331G1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q331G1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q331G1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q331G3GU001E QEDB102Q331G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q331G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q331G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q331J1GU001E QEDB102Q331J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q331J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q331J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q331J3GU001E QEDB102Q331J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q331J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q331J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q331K1GU001E QEDB102Q331K1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q331K1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q331K1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况

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