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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 10pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q102J3GV002E QEDB101Q102J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q102J3GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q102J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 10pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 10pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB101Q102K3GU001E QEDB101Q102K3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q102K3GU001E Mouser 零件编号 609-B101Q102K3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 10pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 10pF 10% Ni/Sn Johanson Technology QEDB101Q102K3GV001E QEDB101Q102K3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q102K3GV001E Mouser 零件编号 609-B101Q102K3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 10pF 10% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 10pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q102K3GV002E QEDB101Q102K3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q102K3GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q102K3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 10pF 10% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 390pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB101Q391J1GV001E QEDB101Q391J1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q391J1GV001E Mouser 零件编号 609-B101Q391J1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 390pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 390pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q391J1GV002E QEDB101Q391J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q391J1GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q391J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 390pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB101Q511G1GU001E QEDB101Q511G1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511G1GU001E Mouser 零件编号 609-B101Q511G1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn Johanson Technology QEDB101Q511G1GV001E QEDB101Q511G1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511G1GV001E Mouser 零件编号 609-B101Q511G1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q511G1GV002E QEDB101Q511G1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511G1GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q511G1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB101Q511G3GU001E QEDB101Q511G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511G3GU001E Mouser 零件编号 609-B101Q511G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn Johanson Technology QEDB101Q511G3GV001E QEDB101Q511G3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511G3GV001E Mouser 零件编号 609-B101Q511G3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q511G3GV002E QEDB101Q511G3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511G3GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q511G3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB101Q511J1GU001E QEDB101Q511J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511J1GU001E Mouser 零件编号 609-B101Q511J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB101Q511J1GV001E QEDB101Q511J1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511J1GV001E Mouser 零件编号 609-B101Q511J1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q511J1GV002E QEDB101Q511J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511J1GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q511J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB101Q511J3GU001E QEDB101Q511J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511J3GU001E Mouser 零件编号 609-B101Q511J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB101Q511J3GV001E QEDB101Q511J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511J3GV001E Mouser 零件编号 609-B101Q511J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q511J3GV002E QEDB101Q511J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511J3GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q511J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB101Q511K1GU001E QEDB101Q511K1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511K1GU001E Mouser 零件编号 609-B101Q511K1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn Johanson Technology QEDB101Q511K1GV001E QEDB101Q511K1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511K1GV001E Mouser 零件编号 609-B101Q511K1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q511K1GV002E QEDB101Q511K1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511K1GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q511K1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB101Q511K3GU001E QEDB101Q511K3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511K3GU001E Mouser 零件编号 609-B101Q511K3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn Johanson Technology QEDB101Q511K3GV001E QEDB101Q511K3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511K3GV001E Mouser 零件编号 609-B101Q511K3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB101Q511K3GV002E QEDB101Q511K3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q511K3GV002E Mouser 零件编号 609-B101Q511K3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB101Q561G1GU001E QEDB101Q561G1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB101Q561G1GU001E Mouser 零件编号 609-B101Q561G1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况

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