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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q331K3GU001E QEDB102Q331K3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q331K3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q331K3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 330pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 36pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q360F1GV002E QEDB102Q360F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q360F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q360F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 36pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 2% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q360G3GV001E QEDB102Q360G3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q360G3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q360G3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 2% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 36pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q360J1GV002E QEDB102Q360J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q360J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q360J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 36pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q360J3GV001E QEDB102Q360J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q360J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q360J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q361F1GU001E QEDB102Q361F1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q361F1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q361F1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q361F3GU001E QEDB102Q361F3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q361F3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q361F3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q361G1GU001E QEDB102Q361G1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q361G1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q361G1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q361G3GU001E QEDB102Q361G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q361G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q361G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q361J1GU001E QEDB102Q361J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q361J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q361J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q361J3GU001E QEDB102Q361J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q361J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q361J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q361K1GU001E QEDB102Q361K1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q361K1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q361K1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q361K3GU001E QEDB102Q361K3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q361K3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q361K3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 360pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q390G1GV002E QEDB102Q390G1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q390G1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q390G1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q390G3GU001E QEDB102Q390G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q390G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q390G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 2% Cu/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q390G3GU002E QEDB102Q390G3GU002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q390G3GU002E Mouser 零件编号 609-B102Q390G3GU002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 2% Cu/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q390J3GV001E QEDB102Q390J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况 Mouser 的新产品	制造商零件编号 QEDB102Q390J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q390J3GV001E Mouser 的新产品	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q390J3GV002E QEDB102Q390J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q390J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q390J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 39pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.05pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R0A1GV001E QEDB102Q3R0A1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R0A1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R0A1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.05pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R0A1GV002E QEDB102Q3R0A1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R0A1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R0A1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R0B3GU001E QEDB102Q3R0B3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R0B3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R0B3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R0B3GV001E QEDB102Q3R0B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R0B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R0B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R0B3GV002E QEDB102Q3R0B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R0B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R0B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.25pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R0C3GV001E QEDB102Q3R0C3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R0C3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R0C3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.25pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R0C3GV002E QEDB102Q3R0C3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R0C3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R0C3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况

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