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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.30pF 0.05pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R3A2GU001E QEDB102Q3R3A2GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R3A2GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R3A2GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.30pF 0.05pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R3B1GV002E QEDB102Q3R3B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R3B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R3B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.30pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R3B2GU001E QEDB102Q3R3B2GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R3B2GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R3B2GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.30pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R3B3GU001E QEDB102Q3R3B3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R3B3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R3B3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R3B3GV001E QEDB102Q3R3B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R3B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R3B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R3B3GV002E QEDB102Q3R3B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R3B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R3B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R3C1GV002E QEDB102Q3R3C1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R3C1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R3C1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.5pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R3D1GV002E QEDB102Q3R3D1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R3D1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R3D1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.3pF 0.5pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.6pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R6B3GU001E QEDB102Q3R6B3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R6B3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R6B3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.6pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.6pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R6B3GV001E QEDB102Q3R6B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R6B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R6B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.6pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.6pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R6B3GV002E QEDB102Q3R6B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R6B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R6B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.6pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.9pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R9B3GU001E QEDB102Q3R9B3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R9B3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R9B3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.9pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.9pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q3R9B3GV001E QEDB102Q3R9B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R9B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q3R9B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.9pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.9pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q3R9B3GV002E QEDB102Q3R9B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q3R9B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q3R9B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 3.9pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 43pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q430F1GV002E QEDB102Q430F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q430F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q430F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 43pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 43pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q430G3GU001E QEDB102Q430G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q430G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q430G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 43pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 43pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q430J1GV002E QEDB102Q430J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q430J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q430J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 43pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 47pF 2% Cu/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q470G3GU002E QEDB102Q470G3GU002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q470G3GU002E Mouser 零件编号 609-B102Q470G3GU002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 47pF 2% Cu/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 470pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q470J1GV002E QEDB102Q470J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q470J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q470J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 470pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 47pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q470J3GU001E QEDB102Q470J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q470J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q470J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 47pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 47pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q470J3GV001E QEDB102Q470J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q470J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q470J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 47pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 47pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q470J3GV002E QEDB102Q470J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q470J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q470J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 47pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q4R3B1GV002E QEDB102Q4R3B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q4R3B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q4R3B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.3pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q4R3B3GU001E QEDB102Q4R3B3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q4R3B3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q4R3B3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.3pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.3pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q4R3B3GV001E QEDB102Q4R3B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q4R3B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q4R3B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.3pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况

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