.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

E 系列无源元件

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

无源元件类型

列表图片

结果: 7,290

已应用过滤器:

系列 = E

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q4R3B3GV002E QEDB102Q4R3B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q4R3B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q4R3B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.3pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.7pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q4R7B1GV002E QEDB102Q4R7B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q4R7B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q4R7B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.7pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.7pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q4R7B3GU001E QEDB102Q4R7B3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q4R7B3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q4R7B3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.7pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.7pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q4R7B3GV001E QEDB102Q4R7B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q4R7B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q4R7B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.7pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.7pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q4R7B3GV002E QEDB102Q4R7B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q4R7B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q4R7B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 4.7pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 2% Cu/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q560G3GU002E QEDB102Q560G3GU002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q560G3GU002E Mouser 零件编号 609-B102Q560G3GU002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 2% Cu/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q560J1GV002E QEDB102Q560J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q560J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q560J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q560J3GU001E QEDB102Q560J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q560J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q560J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q560J3GV001E QEDB102Q560J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q560J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q560J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q560J3GV002E QEDB102Q560J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q560J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q560J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 56pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.1pF 0.25pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q5R1C3GU001E QEDB102Q5R1C3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R1C3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q5R1C3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.1pF 0.25pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.1pF 0.25pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q5R1C3GV001E QEDB102Q5R1C3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R1C3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q5R1C3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.1pF 0.25pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.1pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q5R1C3GV002E QEDB102Q5R1C3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R1C3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q5R1C3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.1pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q5R6B1GV002E QEDB102Q5R6B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R6B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q5R6B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q5R6B3GV001E QEDB102Q5R6B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R6B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q5R6B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q5R6B3GV002E QEDB102Q5R6B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R6B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q5R6B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.25pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q5R6C3GU001E QEDB102Q5R6C3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R6C3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q5R6C3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.25pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.25pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q5R6C3GV001E QEDB102Q5R6C3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R6C3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q5R6C3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.25pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q5R6C3GV002E QEDB102Q5R6C3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q5R6C3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q5R6C3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 5.6pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 620pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q620G3GU001E QEDB102Q620G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q620G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q620G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 620pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 62pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q620J1GV002E QEDB102Q620J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q620J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q620J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 62pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q680F1GV002E QEDB102Q680F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q680F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q680F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q680G3GU001E QEDB102Q680G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q680G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q680G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q680J1GV002E QEDB102Q680J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q680J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q680J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q680J3GU001E QEDB102Q680J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q680J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q680J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况

E 系列无源元件

无源元件类型

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持

E 系列 无源元件

无源元件类型

E 系列无源元件