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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q680J3GV001E QEDB102Q680J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q680J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q680J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q680J3GV002E QEDB102Q680J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q680J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q680J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 68pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.2pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q6R2B1GV002E QEDB102Q6R2B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R2B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q6R2B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.2pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.2pF 0.25pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q6R2C3GU001E QEDB102Q6R2C3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R2C3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q6R2C3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.2pF 0.25pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.2pF 0.25pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q6R2C3GV001E QEDB102Q6R2C3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R2C3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q6R2C3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.2pF 0.25pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.2pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q6R2C3GV002E QEDB102Q6R2C3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R2C3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q6R2C3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.2pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q6R8B1GV002E QEDB102Q6R8B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R8B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q6R8B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q6R8B3GV001E QEDB102Q6R8B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R8B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q6R8B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q6R8B3GV002E QEDB102Q6R8B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R8B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q6R8B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q6R8C1GV002E QEDB102Q6R8C1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R8C1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q6R8C1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.25pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q6R8C3GU001E QEDB102Q6R8C3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R8C3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q6R8C3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.25pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.25pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q6R8C3GV001E QEDB102Q6R8C3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R8C3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q6R8C3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.25pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q6R8C3GV002E QEDB102Q6R8C3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q6R8C3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q6R8C3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 6.8pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 75pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q750J3GU001E QEDB102Q750J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q750J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q750J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 75pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 75pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q751J1GV001E QEDB102Q751J1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q751J1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q751J1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 75pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 7.5pF 0.25pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q7R5C3GU001E QEDB102Q7R5C3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q7R5C3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q7R5C3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 7.5pF 0.25pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 7.5pF 0.25pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q7R5C3GV001E QEDB102Q7R5C3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q7R5C3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q7R5C3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 7.5pF 0.25pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 7.5pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q7R5C3GV002E QEDB102Q7R5C3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q7R5C3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q7R5C3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 7.5pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 7.5pF 0.5pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q7R5D1GV002E QEDB102Q7R5D1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q7R5D1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q7R5D1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 7.5pF 0.5pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q820F1GV002E QEDB102Q820F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q820F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q820F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q820J1GU001E QEDB102Q820J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q820J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q820J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q820J3GU001E QEDB102Q820J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q820J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q820J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q820J3GV001E QEDB102Q820J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q820J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q820J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q820J3GV002E QEDB102Q820J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q820J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q820J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 82pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 8.2pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q8R2B1GV002E QEDB102Q8R2B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q8R2B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q8R2B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 8.2pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况

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