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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.8pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q0R8B3GV001E QEDB102Q0R8B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R8B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q0R8B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.8pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.8pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q0R8B3GV002E QEDB102Q0R8B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R8B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q0R8B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.8pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.8pF 0.25pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q0R8C3GV001E QEDB102Q0R8C3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R8C3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q0R8C3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.8pF 0.25pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.8pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q0R8C3GV002E QEDB102Q0R8C3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R8C3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q0R8C3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.8pF 0.25pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q0R9A1GV002E QEDB102Q0R9A1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R9A1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q0R9A1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.05pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q0R9B1GV002E QEDB102Q0R9B1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R9B1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q0R9B1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.1pF Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q0R9B3GU001E QEDB102Q0R9B3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R9B3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q0R9B3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.1pF Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.1pF Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q0R9B3GV001E QEDB102Q0R9B3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R9B3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q0R9B3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.1pF Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q0R9B3GV002E QEDB102Q0R9B3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q0R9B3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q0R9B3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 0.9pF 0.1pF Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q100F1GV002E QEDB102Q100F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q100F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q100F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q100F3GV001E QEDB102Q100F3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q100F3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q100F3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q100F3GV002E QEDB102Q100F3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q100F3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q100F3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q100J1GU001E QEDB102Q100J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q100J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q100J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q100J1GV002E QEDB102Q100J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q100J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q100J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q100J3GU001E QEDB102Q100J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q100J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q100J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q100J3GV001E QEDB102Q100J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q100J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q100J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q100J3GV002E QEDB102Q100J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q100J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q100J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q101G1GV002E QEDB102Q101G1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101G1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q101G1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q101G3GU001E QEDB102Q101G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q101G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 2% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q101G3GV001E QEDB102Q101G3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101G3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q101G3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 2% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q101G3GV002E QEDB102Q101G3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101G3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q101G3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q101J1GU001E QEDB102Q101J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q101J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q101J1GV002E QEDB102Q101J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q101J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q101J2GV001E QEDB102Q101J2GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101J2GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q101J2GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q101J2GV002E QEDB102Q101J2GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101J2GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q101J2GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况

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