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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q101J3GU001E QEDB102Q101J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q101J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q101J3GV001E QEDB102Q101J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q101J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q101J3GV002E QEDB102Q101J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q101J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q101K1GV002E QEDB102Q101K1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q101K1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q101K1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 1pF 10% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 11pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q110F1GV001E QEDB102Q110F1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q110F1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q110F1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 11pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 11pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q110F1GV002E QEDB102Q110F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q110F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q110F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 11pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 11pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q110G3GU001E QEDB102Q110G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q110G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q110G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 11pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 11pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q110J1GU001E QEDB102Q110J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q110J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q110J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 11pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 110pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q111J1GV001E QEDB102Q111J1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q111J1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q111J1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 110pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 110pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q111J1GV002E QEDB102Q111J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q111J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q111J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 110pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q120G1GV002E QEDB102Q120G1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q120G1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q120G1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 2% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q120G3GV001E QEDB102Q120G3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q120G3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q120G3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 2% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q120G3GV002E QEDB102Q120G3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q120G3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q120G3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q120J1GU001E QEDB102Q120J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q120J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q120J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q120J1GV002E QEDB102Q120J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q120J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q120J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q120J3GU001E QEDB102Q120J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q120J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q120J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q120J3GV001E QEDB102Q120J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q120J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q120J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q120J3GV002E QEDB102Q120J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q120J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q120J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q121F1GU001E QEDB102Q121F1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121F1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q121F1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q121F1GV001E QEDB102Q121F1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121F1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q121F1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q121F1GV002E QEDB102Q121F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q121F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q121F3GU001E QEDB102Q121F3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121F3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q121F3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q121F3GV001E QEDB102Q121F3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121F3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q121F3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q121F3GV002E QEDB102Q121F3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121F3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q121F3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q121G1GU001E QEDB102Q121G1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121G1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q121G1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况

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