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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q121G1GV001E QEDB102Q121G1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121G1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q121G1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q121G1GV002E QEDB102Q121G1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121G1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q121G1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q121G3GU001E QEDB102Q121G3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121G3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q121G3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q121G3GV001E QEDB102Q121G3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121G3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q121G3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q121G3GV002E QEDB102Q121G3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121G3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q121G3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 2% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q121J1GU001E QEDB102Q121J1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121J1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q121J1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q121J1GV001E QEDB102Q121J1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121J1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q121J1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q121J1GV002E QEDB102Q121J1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121J1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q121J1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q121J3GU001E QEDB102Q121J3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121J3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q121J3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q121J3GV001E QEDB102Q121J3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121J3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q121J3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q121J3GV002E QEDB102Q121J3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121J3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q121J3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 5% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q121K1GU001E QEDB102Q121K1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121K1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q121K1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q121K1GV001E QEDB102Q121K1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121K1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q121K1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q121K1GV002E QEDB102Q121K1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121K1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q121K1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q121K3GU001E QEDB102Q121K3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121K3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q121K3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q121K3GV001E QEDB102Q121K3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121K3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q121K3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q121K3GV002E QEDB102Q121K3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q121K3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q121K3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 120pF 10% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q131F1GU001E QEDB102Q131F1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q131F1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q131F1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q131F1GV001E QEDB102Q131F1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q131F1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q131F1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q131F1GV002E QEDB102Q131F1GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q131F1GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q131F1GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q131F3GU001E QEDB102Q131F3GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q131F3GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q131F3GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q131F3GV001E QEDB102Q131F3GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q131F3GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q131F3GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Ni/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Ni/Sn AEC-Q200 Johanson Technology QEDB102Q131F3GV002E QEDB102Q131F3GV002E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q131F3GV002E Mouser 零件编号 609-B102Q131F3GV002E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 1% Ni/Sn AEC-Q200	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 2% Cu/Sn Johanson Technology QEDB102Q131G1GU001E QEDB102Q131G1GU001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q131G1GU001E Mouser 零件编号 609-B102Q131G1GU001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 2% Cu/Sn	数据表	受限供货情况
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 2% Ni/Sn Johanson Technology QEDB102Q131G1GV001E QEDB102Q131G1GV001E Johanson Technology 受限供货情况	制造商零件编号 QEDB102Q131G1GV001E Mouser 零件编号 609-B102Q131G1GV001E	Johanson Technology	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 130pF 2% Ni/Sn	数据表	受限供货情况

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