Vishay / Thin Film 基于硅的射频电容器/薄膜电容器

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 电容
封装 / 箱体
容差
系列
最小工作温度
最大工作温度
封装
Vishay / Thin Film 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 15pF 5% 0202 Size MOS, GOLD, Class H
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 400
倍数： 400

15 pF 0202 (0505 metric) 5 % NC - 55 C + 125 C Waffle
Vishay / Thin Film 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1KpF 10% 0606 MNOS, Gold, Class H
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 100
倍数： 1

1000 pF 0606 (1616 metric) 10 % NC - 55 C + 125 C Waffle